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Samsung Mémoire SSD de 1 to Evo Plus de 970

MZ-V7S1T0BW
259,99 €
  • SSD technologie V-NAND de Samsung
  • Facteur de forme M. 2, idéal pour ordinateur portable
  • Interface PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1,3
  • Lecture aléatoire (4KB, QD32) jusqu'à 600 000 IOPS et en écriture aléatoire (4KB, QD32) jusqu'à 550 000 IOPS
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1000 GO (1 GO=1 Milliard d'octets par IDEMA) capacité utile réelle peut être plus faible (en raison du formatage, partitionnement, système d'exploitation, des applications ou autre); Format M. 2 (2280), l'interface PCI-Gen 3.0x4, NVMe 1.3. Dimensions (l × h × p): 80.15 X 22.15 X 2.38 (mm). Poids Maximum de 8,0 g.Type de Nand: Samsung V-NAND 3bit MLC. Contrôleur Samsung Phoenix. Type de caisse: Samsung 512 MO de Faible Puissance DDR4 SDRAM. Le TRIM est supporté. S. M. A. R. T pris en charge. Auto De Collecte Des Ordures Algorithme. Le cryptage 256-bit AES (Classe 0)/TCG Opal, IEEE1667 (disque Crypté). Le World Wide Nom n'est pas pris en charge. Appareil en Mode Veille est pris en charge. En lecture séquentielle jusqu'à 3 500 MB/s. Écriture séquentielle jusqu'à 3 300 MO/s. La lecture de causalité (4 KO, QD32) jusqu'à 600 000 IOPS. En écriture aléatoire (4KB, QD32) jusqu'à 550 000 IOPS. Lecture aléatoire (4KB, QD1) jusqu'à 19 000 IOPS. En écriture aléatoire (4KB, QD1) jusqu'à 60 000 IOPS. Les performances peuvent varier selon le matériel du système et de la configuration. La consommation d'énergie Moyenne: 6 W Maximum: 9 W (Mode Rafale). Le courant réel de la consommation peut varier en fonction de votre matériel et de la configuration. La fiabilité (MTBF) de 1,5 Millions d'heures de fiabilité; 0 - 70 ° c Température de Fonctionnement. Résistance aux chocs: 1500 G et 0,5 ms (Demi-sinus). Logiciel de Magicien pour la gestion du SSD. Garantie limitée de 5 Ans ou est limité à 600 TBW.